% sputtering yield : Kr -> Si % z1=36, m1= 83.80, z2=14, m2= 28.09, sbe=4.70, rho=2.32 g/cm**3 % ef=0.50 eV, esb=0.00 eV, kk0=kk0r=2, kdee1=kdee2=3, ipot=ipotr=1 (KrC) % ca=1.00 % program : IPP 9/82 % ne=11, na= 1 % % e0 0 % 50 2.10e-4 100 1.10e-2 200 8.60e-2 500 3.50e-1 1000 6.30e-1 5000 1.70e-0 10000 1.95e-0 20000 2.30e-0 50000 2.70e-0 100000 2.60e-0 200000 2.30e-0