% sputtering yield : Kr -> Si
% z1=36, m1= 83.80, z2=14, m2= 28.09, sbe=4.70, rho=2.32 g/cm**3
% ef=0.50 eV, esb=0.00 eV, kk0=kk0r=2, kdee1=kdee2=3, ipot=ipotr=1 (KrC)
% ca=1.00
% program : IPP 9/82
% ne=11, na= 1
%
%  e0      0  
%
    50  2.10e-4
   100  1.10e-2
   200  8.60e-2
   500  3.50e-1
  1000  6.30e-1
  5000  1.70e-0
 10000  1.95e-0
 20000  2.30e-0
 50000  2.70e-0
100000  2.60e-0
200000  2.30e-0